Схема применения двухстороннего стабилитрона

Компания Bourns, например, предлагает сборки серии CDSOT236 для защиты портов Ethernet или HDMI, сборки серии CDDFN для USB3.0 и так далее. При этом транзистор эквивалентен замкнутому контакту реле. 3) Режим отсечки — транзистор закрыт и обладает высоким сопротивлением, т.е. он эквивалентен разомкнутому контакту реле. Работа каскада повышенного напряжения не блокируется, он сохраняет полную работоспособность. Советую применять подобную связку во всех ИИП — это обезопасит ваши транзисторы, которые достаточно дорогие. Точнее ошибку я обнаружил одну, если есть те, кто тоже её увидит – пишите в личку, не надо сразу её выявлять.

При включении светодиода в прямом направлении происходит перенос неосновных носителей из одной области в другую с последующей рекомбинацией. Открываем и смотрим:Рисунок 2 – Внутреннее содержимое умной розеткиНа снимках видно, печатную плату с электронной схемой. Перенумеровывать компоненты я не стал, т.к. тогда были бы разногласия с обозначениями на печатной плате. И, кстати, все ошибки разработчика в схеме я тоже изобразил как есть. Это значение максимального обратного тока утечки, который есть у всех диодов. Он очень мал и практически не оказывает никого влияния на работу схемы. Предохранительные диоды выпускаются как несимметричные (однонаправленные), так и симметричные (двунаправленные). Симметричные могут работать в цепях с двуполярными напряжениями, а несимметричные только с напряжением одной полярности. Материал подготовил — AKV. Форум по радиодеталям Обсудить статью ДИОДЫ.
Смещение входной характеристики вверх обусловлено тем, что с увеличением отрицательного обратного напряжения на коллекторном переходе ширина запрещающего слоя коллекторного перехода увеличивается. Поэтому делают концентрацию дырок в эмиттере как можно больше по отношению к концентрации электронов в базе. Основными материалами для производства полупроводниковых приборов являются кремний (Si), карбид кремния (SiС), соединения галлия и индия. Дрейф тока при длительной эксплуатации объясняется накоплением загрязняющих примесей в зоне p-n-перехода, в слое защитного оксида и на его поверхности. Ширину базы делают меньше длины свободного пробега электронов, в результате время, необходимое дыркам на преодоления базы в результате диффузии, будет меньше, чем время жизни дырок.

Похожие записи: